BSC320N20NS3G，场效应管(MOSFET)原装供货

IRF150P220AKMA1
采用 TO-150 封装的 247V 单 N 沟道强红外场效应管™功率 MOSFET
功能特性：
极低的RDS（开启）
出色的栅极电荷 x RDS（开启）（FOM）
优化的 Q 值RR
175°C 工作温度
根据JEDEC标准进行产品验证
针对分销合作伙伴提供的广泛可用性进行了优
降低传导损耗
高开关频率的理想选择
更低的过冲电压
与 150°C 额定部件相比，可靠性更高
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC070N10NS3G
IRLR024NTRPBF
IRLR3410TRPBF
IRFR120NTRPBF
IRFR5410TRPBF
IRFR220NTRPBF
IRFR7440TRPBF
BSS308PEH6327
IRFR1205TRPBF
IRF7480MTRPBF
IRF9310TRPBF
BSS138NH6327
IRF7351TRPBF
BSC093N15NS5
BSS316NH6327
常用型号大量原装现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

IRFR13N15DTRPBF产品特性：
采用 D-Pak 封装的 150V 单 N 沟道六通道六角形场效应管功率 MOSFET
符合 RoHS 标准
低导通电阻
行业的质量
动态 dv/dt 额定值
快速切换
完全雪崩额定
175°C 工作温度
LSI后缀中的I表示OptiMOS™的附加功能，即英飞凌超级势垒二极管（单片集成肖特基二极
管）。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC0504NSI
IRF1104PBF
IPD053N06N
IRFBC20PBF
IPB057N06N
IRLZ24NPBF
IRF100B202
IRF2804PBF
IPP040N06N
SPA08N80C3
IRL2505PBF
IRFR5305TRPBF
IRFR024NTRPBF
IRLR8726TRPBF
IRLR7843TRPBF
常用型号大量现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

IGBT-绝缘栅双极晶体管
不同电压和电流等级的 IGBT 分立器件、压接式器件、功率模块以及组件解决方案。
我们的 IGBT 产品系列包括多款不同器件。这些产品广泛应用于汽车、牵引、能源传输、工业和消费系统领域。我们的解决方案在正向和阻断状态下功耗非常低，仅需低驱动功率便可发挥率。这些 IGBT 产品可承受高达 6.5 kV 的电压，并可在 2 kHz 至 50 kHz 的开关频率下工作。
借助广泛的技术组合优势，面向工业和功率控制应用的 IGBT ,具有出色的电流承载能力和更高的脉冲负载能力，功耗极低。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IRLML9303TRPBF
IRF3710STRLPBF
IRLML2246TRPBF
IRFS7530TRL7PP
IRLML5103TRPBF
IRLML6246TRPBF
IRFHM9331TRPBF
BSC0802LSATMA1
IRFR3410TRLPBF
IRFS7440TRLPBF
IRLMS6802TRPBF
IRFS4229TRLPBF
IRFR3710ZTRPBF
IRLR024NTRLPBF
IRFR6215TRLPBF
芯片提供商，每一片都是原装，让您用的放心，助力贵公司发展！

英飞凌提供多种 P 沟道功率 MOSFET 产品，专为汽车申请，符合 AEC 标准。
P 沟道功率 MOSFET 降低中低功率应用的设计复杂性
P 沟道 MOSFET 使用空穴流作为电荷载流子，其迁移率低于 N 沟道 MOSFET 中使用的电子流。在功能方面，主要区别在于P沟道MOSFET需要从栅极到源极的负电压（V一般事务人员） 导通（与需要正 V 的 N 沟道 MOSFET 相反一般事务人员电压）。这使得P沟道MOSFET成为高边开关的理想选择。设计的简单性有利于空间有限的低压驱动应用和非隔离POL。P沟道MOSFET特性的一大优势是简化的栅极驱动技术，通常可降低总体成本。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IRFS4227TRLPBF
IRFR4615TRLPBF
IRFR9120NTRPBF
IPG20N06S4L-26
IRFR4620TRLPBF
IRFML8244TRPBF
IRLR8726TRLPBF
IRLML6302TRPBF
IRLML0040TRPBF
IRLML2030TRPBF
IRFR5305TRLPBF
IRLR2905ZTRPBF
IRFZ44NSTRLPBF
IRLR3110ZTRPBF
IRFS7537TRLPBF
英飞凌各种常用型号大量现货，欢迎咨询合作！手机同号。

英飞凌广泛的 12 V-40 V N 沟道 MOSFET 产品组合小巧紧凑，包括OptiMOS™和StrongIRFET™适用于低、中、高功率应用的技术。
低压 12 V-40 V MOSFET 产品系列包括 20 V N 沟道功率 MOSFET、30 V N 沟道 MOSFET 和 40 V N 沟道 MOSFET。英飞凌的™ 光电产品组合提供更高的效率和功率密度，而庞大的产品组合强式红外场效应管™产品提供、坚固的设计以及的性能。通过提供两者OptiMOS™和StrongIRFET™在产品系列中，英飞凌提供节省空间的解决方案不仅优化了热性能，而且在减小尺寸的同时提高了额定电流。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC117N08NS5ATMA1
BSS123NH6433XTMA1
BSC040N10NS5ATMA1
BSZ040N06LS5ATMA1
IPD70R900P7SAUMA1
BSS138NH6433XTMA1
BSS123NH6327XTSA1
IPP040N06N3GXKSA1
IPD60R360P7SAUMA1
IPB200N25N3GATMA1
BSD223PH6327XTSA1
BSZ063N04LS6ATMA1
BSS192PH6327FTSA1
BSC110N15NS5ATMA1
IPD5N25S3430ATMA1
英飞凌大量原装现货，让您合作无忧。

汽车场效应管应用
在汽车应用中，MOSFET 用于车身电子、动力总成、底盘和安全、汽车安全、电力驱动排水和信息娱乐系统。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IKP20N60TXKSA1
IKW40N120H3FKSA1
IHW30N160R5XKSA1
IKW40N120CS6XKSA1
IKD10N60RFATMA1
BCR420UE6327
BCR421UE6327
BCR402UE6327
ILD6150XUMA1
BCR401UE6327
BCR430U
TLD23313EPXUMA1
TLE7259-3GE
IM69D130V01
BSS159NH6327XTSA2
我们只做原装，每颗芯片经得起检验！