IGBT 在开通过程中，大部分时间是 作为MOSFET 运行的，只是在漏源电压Uds 下降 过程后期， PNP 晶体 管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延 迟时间，tri 为电流。实 际 应用中常给出的 漏极电流开通时间ton 即 为td (on) tri 之和，漏 源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。
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T553N70TOH
T1503N75TOH
T1503N80TOH
T2563N75TOH
T2563N80TOH
T4003N52TOH
T178F04TMC
T1078F04TDC
T408F11TFC
T408F12TSB
T408F12TSC
T1052S12TDC
T930S16TFB
T930S16TKC
T930S18TKB
T930S18TMC
T930S20TMC
infineon , eupec
600V系列IGBT模块，1200V系列IGBT模块，1600V系列IGBT模块，1700V系列IGBT模块，3300V系列IGBT模块 ，6500V系列IGBT模块：
DN2系列：频率范围10KHZ-20KHZ，饱和压降：2.5V-3.1V；
DN2系列：频率范围4KHZ-8KHZ，饱和压降：2.1V-2.4V；
KS4系列：频率范围15KHZ-30KHZ，饱和压降：3.2V-3.85V；
KE3系列：频率范围4KHZ-10KHZ，饱和压降：1.7V-2.0V；
KT3系列：频率范围8KHZ-15KHZ，饱和压降：1.7V-1.9V；
一单元(1U)/600V IGBT：
BSM200GA60DN2
BSM200GA60DLC
BSM300GA60DN2
BSM300GA60DLC
BSM400GA60DN2
BSM400GA60DLC
FZ300R06KE3
FZ400R06KE3
FZ600R06KE3
FZ800R06KE3
一单元(1U)/1200V IGBT：
联系我时，请说是在黄页88网苏州电子可控硅栏目上看到的，谢谢！
